紫外光刻機廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生產。它經過特殊設計，方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化鎵和磷化銦。而且該設備可通過選配升級套件，實現紫外納米壓印光刻。它具有以下亮點：高分辨率掩模對準光刻，特征尺寸優于0.5微米、裝配SUSS的單視場顯微鏡或分視場顯微鏡，實現快速準確對準、針對厚膠工藝進行優化的高分辨光學系統、可選配通用光學器件，在不同波長間進行快速切換等。

　　紫外光刻機是利用一定波長的紫外光，通過掩模版使特定區域的光透過，從而輻照到光刻膠表面進行曝光。紫外光刻是典型的大面積光刻技術，能夠快速實現微納光學器件地復制。所用的波長一般為365nm，極限曝光分辨率為1μm，對準精度0.6μm，最大掩模尺寸為5英寸，樣品尺寸支持各種不規則片以及4英寸晶圓，具有真空接觸曝光、硬接觸曝光、壓力接觸曝光以及接近曝光四種功能。同時可提供紫外納米壓印功能，最高分辨率可達50nm。

　　紫外光刻對對光源系統的要求

　　a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現象會更嚴重。

　　b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；

　　c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]

　　常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。

　　對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。

　　曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。